| Air Mass |
大氣品質,AM |
它是一個比值：1.太陽光線穿過地球大氣的實際路徑比上2.太陽光線在垂直向時穿過大氣接觸海平面的路徑。AM=secθz ，θz為天頂線和光線入射間的夾角 |
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Aluminum Heat Sink
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鋁製散熱板 |
?
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AM0
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? |
太陽光在大氣層外的平均照度稱為AM0，其功率約1300W/m^2
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AM1
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? |
太陽光透過大氣層后與地表呈90度時的平均照度稱為AM1，其功率約925W/m^2
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AM1.5
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地面的平均照度 |
AM1.5用來表示地面的平均照度，是指陽光透過大氣層后，與地表呈45°時的光強度，功率約844W/m^2，在國際規范(IEC 891、IEC 904-1)將AM1.5的功率定義為1000W/m^2。
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Ambient Temperature
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環境溫度 |
?
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Amorphous
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簡稱a-Si非晶硅 |
?
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Array
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組列 |
一種用框架、基礎、跟蹤、熱量控制等來組裝電池板使之成為直流電源的個體。
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| A-Si(Amorphus Silicon) |
非晶硅 |
利用濺鍍或是化學氣相沉積方式在玻璃或金屬基板上生成薄膜的薄膜太陽能生產方式。 |
| Blocking Diode |
阻斷二級體 |
一種用來阻斷反向電流進入光伏電路的二極體。 |
| Bypass Diode |
旁路二極體? |
一種用來連接一個或多個電池、模組、或者平板的二極體，它能允許通過電池、模組、或者平板的迂回電流。 |
| BIPV(Building-integrated photovoltaic) |
一體型太陽能電池模板? |
BIPV是結合太陽能發電與建筑物外牆兩項功能，將太陽電池模組(module)或陣列(array)整合、設計并裝置在建筑物上的雙用途產品。? |
| Cell |
電池 |
暴露在陽光下能產生電能的一種最基本的太陽能裝置或設備。 |
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CBTL(Certification Body Testing Laboratory)
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標準實驗室認證機構 |
?
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| CdTe(Cadmium telluride) |
碲化鎘 |
CdTe屬于化合物半導體，電池轉換效率不差，若使用耐高溫(約600℃)的硼玻璃作為基板轉換效率可達16%，而使用不耐高溫但是成本較低的鈉玻璃做基板也可達到12%的轉換效率，轉換效率遠優于非晶硅材料。 |
| CEI 904 |
? |
具光譜照射光參考數據之太陽原件量測原理，等同IEC 904 |
| Charge Controller |
過充放電控制器 |
? |
| CIS(Copper Indium Diselenide) |
硒化銦銅) |
硒化銦銅屬于化合物半導體，這樣的材料吸光范圍廣穩定性好，若是用聚光裝置輔助，轉換效率可達30%，標準環境測試下最高也可達到19.5%，模組的話，可達約13%。 |
| CIGS(Copper Indium Gallium Diselenide) |
銅銦鎵硒 |
銅銦鎵硒屬于化合物半導體，這樣的材料吸光范圍廣穩定性好，若是用聚光裝置輔助，轉換效率可達30%，標準環境測試下最高也可達到19.5%，模組的話，可達約13%。 |
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Conduction
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熱傳導 |
?
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Conduction Band
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導電帶 |
?
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Convection
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熱對流 |
?
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CPV(Concentrator Photovoltaic)
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聚光型太陽能 |
?
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CuInSe2
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硒化銦銅 |
?
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| Current temperature coefficient |
電流溫度係數 |
對電池溫度攝氏1度變化之太陽能電池產生器短路電流之變化 |
| Climatic tests |
氣候試驗 |
? |
| Diagnosis tests |
診斷試驗 |
? |
| Dopant |
雜物? |
? |
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Dye-sensitized solar cell
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染料敏化太陽能電池
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? |
| EFF |
電池效率 |
? |
| Electric Shock |
電擊 |
如果裝置或設備上的部位與地面或是其他部位間的電壓大于30V(直流電壓)，并且洩漏電流超出所規定的數值時，那麼這種危險的電擊就有可能存在。 |
| Electrical tests |
電氣試驗 |
? |
| Electron Hole Pairs |
電子電洞對 |
? |
| Eated zone |
加熱區 |
? |
| Encapsulant |
密封劑 |
一種用來封裝電池和電池組合器件的透明絕緣材料。 |
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Epitaxy
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磊晶
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? |
| FF |
填充因數 |
最大功率對開路電壓與短路電流乘積之比? |
| Flat-Plate |
平板 |
? |
| Fresnel Lenes |
菲涅爾透鏡 |
菲涅爾透鏡[涅爾鏡片是根據法國光物理學家FRESNEL發明的原理採用電鍍模具工藝和PE(聚乙烯)材料壓制而成。鏡片表面刻錄了一圈圈由小到大，向外由淺至深的同心圓，從剖面看似鋸齒。圓環線多而密感應角度大，焦距遠；圓環線刻錄的深感應距離遠，焦距近。 |
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Field-of-view angle
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視場角
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? |
| GaAs Multijuction |
多接面砷化鎵 |
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| Germanium Substrates |
鍺基板 |
? |
| Graphite Board |
石墨板 |
? |
| Grid-connected system |
併聯型發電系統 |
? |
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GaAs
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砷化鎵
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? |
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Ge
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鍺
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? |
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Heat Pipe Technique
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導熱管
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? |
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Heliograph
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日照計
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| Hydride |
氫化物 |
? |
| IL |
負載電流 |
在特定的溫度與照射光下由充電電池供給連結于端子間負載的電流 |
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InGaP
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磷化鎵銦
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? |
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Ingot
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簡稱：晶棒 、晶錠
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| Interconnect |
連接器 |
一種在模組內部用來傳導電池間電流的裝置。 |
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InP
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磷化銦
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? |
| Im |
最大功率電流 |
相當于最大功率之電流 |
| Irradiance tests |
照射試驗 |
? |
| Isc |
短路電流 |
在特定溫度及照射光下在短路狀態之太陽能電池的流出電流 |
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IV test
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電壓電流試驗
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? |
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Junction Temperature
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接面溫度
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? |
| Lead acid battery |
鉛酸電池 |
? |
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Life time test
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壽命時間試驗
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| Lithium ion battery |
鋰離子電池 |
? |
| Liquid Phase Epitaxy, LPE |
液態磊晶技術 |
? |
| Maximum Power |
最大功率,Pmax |
在標準條件(STC)下，模組電壓－電流曲線上電壓和電流都最大時的點。 |
| Maximum System Volta |
系統最大電壓 |
一個系統內系列連接在一起的最大數目的電池板的最大的開路電壓總和。 |
| Mechanical tests |
機械試驗 |
? |
| MOVPE(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) |
金屬有機氣相磊晶技術 |
? |
| Metallization |
鍍金 |
電池表面鍍上的一種導電金屬。 |
| Module |
電池板 |
太陽能電池，電池周圍的保護為最少)和其他輔助部分平面裝配起來用以產生直流電源的一個元件。電池板的承重結構為上(表)層或者底(表)層，并且要遵從：1.上表層為透明材料形成的模組的最上面的外表面層(對著光源的一層)。如果這一層還承擔負重的話，則它還要組成一個承重結構。2.底層是材料形成底模組后面(底面)一層。如果這一層還承擔負重的話，則它還要是一個可以承重的結構。 |
| Module performance test (MPT) |
模組性能測試 |
測試與量測太陽能電池的電子性能 |
| Module safety test (MST) |
模組安全測試 |
頻估與試驗太陽能電池的安全可靠度 |
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Mono-(silicon)cells
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單晶硅片
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Multijunction Concentrators
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多介面太陽能電池
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| Mc-Si(Microcrystalline Silicon) |
微晶硅 |
微晶硅是非晶硅的改良材料，其結構介于非晶硅和晶體硅之間，主要是在非晶體結構中具有微小的晶體粒子，因此同時具有非晶硅容易薄膜化，製程便宜的特性，以及晶體硅吸收光譜廣，且不易出現光劣化效應的優點，轉換效率也較高。 |
| Nanoparticle processing |
奈米粒製程 |
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Natural Convection
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自然對流 |
?
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| Nc-Si(Nanocrystalline Silicon) |
微晶硅 |
微晶硅是非晶硅的改良材料，其結構介于非晶硅和晶體硅之間，主要是在非晶體結構中具有微小的晶體粒子，因此同時具有非晶硅容易薄膜化，製程便宜的特性，以及晶體硅吸收光譜廣，且不易出現光劣化效應的優點，轉換效率也較高。 |
| Nickel cadmium battery |
鎳鎘電池 |
? |
| Nickel hydrogen battery |
鎳氫電池 |
? |
| NOCT(Nominal Operating Cell Temperature) |
標準操作電池溫度 |
在標準參考環境(SRE)下，開架式安裝模組之太陽能電池之平衡平均接面溫度。 |
| Nominal Operating Cell Temperature |
電池額定工作溫度,NOCT |
均衡時電池的結溫(電池工作條件為：80mW/cm2，周圍空氣溫度為20℃，從模組一端到另一端的風速為1m/s,電壓開路) |
| Off grid-connected system |
獨立型發電系統 |
? |
| PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) |
電漿式化學氣相沉積法 |
電漿體增強化學氣相沉積)：在二個電極板間外加一個射頻電壓，于是在二個電極之間的氣體會解離而產生電漿，使用電漿的輔助能量，使得沉積反應的溫度得以降低。 |
| Panel |
面板 |
一種用來將模組緊密組合、連接、裝配在一起的個體。 |
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Photocurrent
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光生載子
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Photovoltaic
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太陽光電池
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Photovoltaic Module
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太陽光電模組
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Photovoltaic
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簡稱PV，光伏電池
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| Photovoltaic Diode, PVD |
發電二極體 |
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Photovoltic material(solar)
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太陽能光伏材料
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? |
| PL |
負載功率 |
在特定溫度及照射光下，供給于連接在PV產生器端子之負載功率 |
| Polymer solar cells |
有機導電高分子 |
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| Polymer lithium battery |
高分子鋰電池 |
? |
| Polymer processing |
高分子製程 |
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Poly-(silicon)cells
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多晶硅片
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Polycrystal
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多晶硅
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? |
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Power Conditioner
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電力調節器
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| Pm |
最大功率 |
電流與電壓之乘積為最大電流、電壓特行上一點的功率 |
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PV Module
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太陽光電模組、太陽電池范本
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Pyranometer
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總日射表
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? |
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Pyrheliometer
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直接日射表
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? |
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Pyrradiometer
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全輻射表
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? |
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Radiation
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熱輻射
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Radiation measurement
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輻射測量
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? |
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Radiometer
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輻射表
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? |
| Rated Operating Voltage? |
反向電流 |
與一般普通太陽能電池板產生的電流方向相反的電流。 |
| Rs |
串并聯電阻 |
? |
| Secondary lithium battery |
二次鋰電池 |
? |
| Side-by-side,SBS |
并排 |
? |
| Silicon processing |
硅製程 |
? |
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Shade disk
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遮陽板
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? |
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Single crystal silicon
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單晶硅
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? |
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Solar Cell
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太陽電池：太陽能晶片、硅晶片、太陽能電池晶片
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? |
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Solar Concentrator Module
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聚光型太陽能模組
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? |
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Solarimeter
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太陽表
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? |
| Sputtering |
真空濺鍍 |
? |
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Spectral pyranometer
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分光總日射表
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? |
| SRE |
標準參考環境 |
傾斜角度(與水平成45度)、總照射度(800Wm^-2)、周圍溫度(20℃)、風速(1ms^-1)、電力負載(無開路)。 |
| Standard Test Conditions |
標準試驗條件,STC |
? |
| STC |
標準測試條件 |
電池溫度(25℃)、照射度(1000Wm^-2)符合規范CEI 904-3所要求之參考太陽能光譜之照射分佈。 |
| Susceptor |
基座 |
? |
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Substrate
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陶瓷基板
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? |
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Sun Tracker
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太陽光追蹤器
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? |
| Tamb |
環境溫度 |
在有通氣孔之箱體或太陽、天空及地面輻射遮蔽狀態下測得的太陽能電池周圍的空氣溫度 |
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Thermal Fatigue Life
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熱疲勞壽命
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? |
| Thin-film Photovoltaic |
薄膜太陽能電池 |
? |
| Tj |
電池溫度 |
直接以熱感測器與電池接觸測量所得的溫度 |
| Transparent conductors |
透光導體 |
? |
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TTV test
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總厚度變化量試驗
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? |
| Unconditioned Modules Or Specimens |
絕對無條件模組或樣品 |
事先未經測試或暴露在環境下的模組或樣品。 |
| Valance Band |
價電帶 |
? |
| VL |
負載電壓 |
在特定溫度及照射光下，顯現于連接在PV產生器端子之負載與端子間電壓 |
| Vm |
最大功率電壓 |
相當于最大功率之電壓 |
| Voc |
開路電壓 |
在一特定溫度及照射光下之無負載之太陽能電池的輸出電壓 |
| Voltage temperature coefficient |
電壓溫度係數 |
對電池溫度攝氏1度變化之太陽能電池原件之開路電壓變化 |
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Wafer
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晶片
|
? |
